R8008ANX دیتاشیت

R8008ANX

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت R8008ANX
حجم فایل 79.099 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 16

مشاهده دیتاشیت R8008ANX

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon R8008ANX
  • Power Dissipation (Pd): 50W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 39nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 800V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1080pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 8A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.03Ω@10V,4A
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه